[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610431159.8 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107516675B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 石金成;马万里;高振杰;李杰英;崔永军 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：衬底；形成于所述衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱区、具有第二掺杂类型的第二阱区和具有第一掺杂类型的第三阱区；第二阱区设置在第一阱区和第三阱区之间；形成于第一阱区中的源极引出区，形成于第三阱区中的漏极引出区；覆盖于衬底表面的场氧化区和栅氧化区，栅氧化区与场氧化区邻接设置；场氧化区位于源极引出区和漏极引出区之间的衬底上方，场氧化区的厚度大于栅氧化区的厚度；形成于场氧化区上的栅区，栅区完全覆盖第二阱区，且栅区只覆盖部分或全部的场氧化区，不覆盖所述栅氧化区。本发明提供的半导体结构能够满足对该半导体结构的阈值电压的正常测量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底中的具有第一掺杂类型的第一阱区、具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第二阱区和具有第一掺杂类型的第三阱区；第二阱区设置在第一阱区和第三阱区之间；形成于第一阱区中的源极引出区，形成于第三阱区中的漏极引出区；覆盖于所述衬底表面的场氧化区和栅氧化区，所述栅氧化区与所述场氧化区邻接设置；其中，所述场氧化区位于所述源极引出区和所述漏极引出区之间的衬底上方，所述场氧化区的厚度大于所述栅氧化区的厚度；形成于所述场氧化区上的栅区，所述栅区完全覆盖第二阱区，且所述栅区只覆盖部分或全部的场氧化区，不覆盖所述栅氧化区；其中，所述半导体结构还包括：形成在衬底内的具有第一掺杂类型的掩埋层。
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