[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610431332.4 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105957854B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 颜瀚琦;沈伟特;林政男 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体封装件包括导线架、半导体芯片、第一电容导电层、第一电容介电层、焊线及封装体。导线架包括彼此隔离的芯片座与外引脚。半导体芯片设于芯片座上。第一电容介电层形成于芯片座上并与半导体芯片并排地配置，第一电容导电层形成于第一电容介电层上。焊线电性连接半导体芯片与第一电容导电层。封装体包覆半导体芯片、第一电容导电层、第一电容介电层及焊线，外引脚的外侧面从封装体露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：一导线架，包括一芯片座；一半导体芯片，设于该芯片座上；一第一电容介电层，形成于该芯片座上并与该半导体芯片并排地配置；一第一电容导电层，形成于第一电容介电层上，且与该半导体芯片电性连接；一第二电容介电层，形成于该第一电容导电层上且包括一介电包覆部，该介电包覆部包覆该第一电容导电层的一外侧面；一第二电容导电层，形成于该第二电容介电层上，其中，该第二电容导电层从该介电包覆部的外侧延伸至该芯片座；以及一封装体，包覆该半导体芯片、该第一电容导电层及该第一电容介电层。
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