[发明专利]在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法及太阳能电池

摘要

本发明提出了一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池。该方法包括清洗硅衬底的表面；在硅衬底的表面通过原子层沉积法沉积电介质薄膜，在温度T1低于350摄氏度下循环操作以下步骤直至电介质薄膜达到一预定厚度D1持续供给含钛反应化合物，通过原子层沉积法使含钛反应化合物均一覆盖在硅衬底的表面，持续供给含钛反应化合物的时长t1；第一次氮气清洗，清洗时长t2。本发明提供的在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池，能有效钝化硅衬底的表面，减少表面反射率，在提高硅太阳能电池的光电转换效率的同时简化了硅太阳能电池的生产工艺，降低生产成本。

主权项

一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，包括：清洗所述硅衬底的表面；在温度T1低于350摄氏度下，在所述硅衬底的表面通过原子层沉积法沉积一预定厚度D1的所述电介质薄膜，包括以下步骤：2.1持续供给含钛反应化合物，通过原子层沉积法使所述含钛反应化合物均一覆盖在所述硅衬底的表面，持续供给所述含钛反应化合物的时长t1；2.2第一次氮气清洗，清洗时长t2；2.3在氧化剂气氛下，使所述含钛反应化合物被氧化成高价钛氧化物，持续时长t3；2.4第二次氮气清洗，清洗时长t4；2.5当所述电介质薄膜达到预定厚度D1，则完成所述电介质薄膜的沉积；当所述电介质薄膜未达到预定厚度D1，回到步骤2.1；其中，10ms≤t1≤1000ms，100ms≤t2、t4≤2000ms，10ms≤t3≤500ms。