[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法及液晶显示面板

摘要

本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及液晶显示面板。阵列基板包括：基板；沟道层，邻近基板的表面设置；第一绝缘层，覆盖沟道层；栅极，设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，覆盖栅极，开设有第一、第二贯孔；源极，设置在第二绝缘层上且通过第一贯孔与沟道层电连接；漏极，设置在第二绝缘层上，与漏极间隔设置且通过第二贯孔与沟道层电连接；平坦层，覆盖源极及漏极，开设第三贯孔；公共电极，设置在平坦层上；钝化层，覆盖公共电极，钝化层包括HfO2，钝化层开设有与第三贯孔连通的第四贯孔；像素电极，设置在钝化层上，通过第三、第四贯孔与漏极电连接，且像素电极对应公共电极设置，像素电极、钝化层及公共电极构成存储电容。

主权项

一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；沟道层，邻近所述基板的表面设置；第一绝缘层，覆盖所述沟道层；栅极，设置在所述第一绝缘层远离所述沟道层的表面；第二绝缘层，覆盖所述栅极，且所述第二绝缘层上开设有间隔设置的第一贯孔和第二贯孔；源极，设置在所述第二绝缘层上，且所述源极通过所述第一贯孔与所述沟道层电连接；漏极，设置在所述第二绝缘层上，且所述漏极通过所述第二贯孔与所述沟道层电连接，且所述漏极与所述源极间隔设置；平坦层，覆盖所述源极及所述漏极，所述平坦层对应所述漏极开设第三贯孔；公共电极，设置在所述平坦层上；钝化层，覆盖所述公共电极，且所述钝化层包括HfO2，所述钝化层对应所述漏极开设第四贯孔，且所述第四贯孔与所述第三贯孔连通；像素电极，设置在所述钝化层上，所述像素电极通过所述第三贯孔及所述第四贯孔与所述漏极电连接，且所述像素电极对应所述公共电极设置，所述像素电极、所述钝化层及所述公共电极构成存储电容。