[发明专利]一种N型MWT太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201610435029.1 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN105957916A | 公开(公告)日: | 2016-09-21 |
发明(设计)人: | 刘大伟;翟金叶;王子谦;史金超;李锋;宋登元 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/056 | 分类号: | H01L31/056;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 陆林生 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型MWT太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。本发明包括N型硅基体,N型硅基体上设有通孔,N型硅基体的正面为P型发射结区,金属接触电极通过通孔导引到N型硅基体的背面,在N型硅基体的背面,通孔的周围设有非背场N型硅基体区,磷背场表面与非背场N型硅基体区的表面基本在同一平面上;在N型硅基体的正面、非背场N型硅基体区的表面、磷背场的表面及通孔内壁均设有减反射膜层;金属接触电极在N型硅基体背面的端头与减反射膜层的表面接触。本发明太阳能电池的制备方法省去激光消融工艺制备MWT太阳能电池引入的损伤及杂质,提高了太阳能电池的光电转换效率,该方法制备工艺简单,有利于成本控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 mwt 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型MWT太阳能电池,包括N型硅基体(3),N型硅基体(3)上设有通孔(6),N型硅基体(3)的正面为P型发射结区(2),金属接触电极(5)通过通孔(6)导引到N型硅基体(3)的背面,其特征在于,在N型硅基体(3)的背面、通孔(6)的周围设有非背场N型硅基体区(7),非背场N型硅基体区(7)的周围为磷背场(4),磷背场(4)表面与非背场N型硅基体区(7)的表面基本在同一平面上;在N型硅基体(3)的正面、非背场N型硅基体区(7)的表面、磷背场(4)的表面及通孔(6)内壁均设有减反射膜层(1);金属接触电极(5)在N型硅基体(3)背面的端头与减反射膜层(1)的表面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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