[发明专利]一种低功耗高浪涌能力的二极管整流芯片及其生产工艺在审

专利信息
申请号: 201610435120.3 申请日: 2016-06-17
公开(公告)号: CN105932070A 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 史国顺;徐明星;陈茂文;王超 申请(专利权)人: 山东芯诺电子科技有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L21/329
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 肖健
地址: 272100 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明的一种低功耗高浪涌能力的二极管整流芯片,包括芯片体,所述芯片体包括从上往下依次排列的P+层、N层和N+层,所述P+层上表面设置有金属层,P+层和N层两侧烧结有玻璃层。其生产工艺包括匀胶、刀片划槽、台面腐蚀、清洗、玻璃钝化、镀镍金、晶圆测试和激光切割。本发明的有益效果是:通过对芯片参数和工艺的改进,使芯片不但尺寸和功耗降低,而且浪涌能力大大提高,提升了芯片的品质。
搜索关键词: 一种 功耗 浪涌 能力 二极管 整流 芯片 及其 生产工艺
【主权项】:
一种低功耗高浪涌能力的二极管整流芯片,其特征在于:包括芯片体,所述芯片体包括从上往下依次排列的P+层、N层和N+层,所述P+层上表面设置有金属层,P+层和N层两侧烧结有玻璃层。
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