[发明专利]一种基于HFSS单元法的大型有限平面阵列分析方法有效
申请号: | 201610435389.1 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN107515956B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 韩玉兵;许露;盛卫星;马晓峰;张仁李 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 薛云燕 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于HFSS单元法的大型有限平面阵列分析方法,包括以下步骤:HFSS单元法分析:利用HFSS单元法建立无限阵列模型,并对主从边界表面间相位差采样,仿真得到一个完整周期结构内各采样点的无限阵有源反射系数;耦合分析:对不同采样点下的无限阵有源反射系数做傅立叶变换实现阵列的互耦分析,确定无限阵的耦合S参数;有源单元方向图分析:根据有源单元方向图与耦合S参数的关系,结合独立阵元方向图、有限阵的阵元位置、幅相信息确定有源单元方向图;阵列方向图综合与修正:综合有源单元方向图,并对综合结果进行修正最终得到综合方向图。本发明仿真速度快、精度高,支持各单元任意幅相激励,能实现大规模平面阵列的互耦分析和方向图综合。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 hfss 单元 大型 有限 平面 阵列 分析 方法 | ||
【主权项】:
一种基于HFSS单元法的大型有限平面阵列分析方法,其特征在于,步骤如下:步骤1,HFSS单元法分析:利用HFSS单元法建立无限阵列模型,并对主从边界表面间相位差采样,仿真得到一个完整周期结构内各采样点的无限阵有源反射系数;步骤2,耦合分析:对不同采样点下的无限阵有源反射系数做傅立叶变换实现阵列的互耦分析,确定无限阵的耦合S参数;步骤3,有源单元方向图分析:根据有源单元方向图与耦合S参数的关系,结合独立阵元方向图、有限阵的阵元位置、幅相信息确定有源单元方向图;步骤4,阵列方向图综合与修正:综合有源单元方向图,并对综合结果进行修正最终得到综合方向图。
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