[发明专利]在高阻衬底上形成的半导体器件和射频模块

摘要

在实施例中，半导体器件包括高阻衬底、设置在高阻衬底上的晶体管，和设置在高阻衬底中围绕晶体管的深沟槽器件隔离区。特别地，高阻衬底具有第一导电类型，具有第二导电类型的深阱区设置在高阻衬底中。进一步地，具有第一导电类型的第一阱区设置在深阱区上，晶体管设置在第一阱区上。

主权项

1.半导体器件，包括：具有第一导电类型的高阻衬底；具有第二导电类型并设置在所述高阻衬底中的深阱区；具有所述第一导电类型并设置在所述深阱区上的第一阱区；设置在所述第一阱区上的晶体管；设置在所述高阻衬底中围绕所述晶体管的深沟槽器件隔离区；具有所述第二导电类型并设置在所述深沟槽器件隔离区的外部的第二阱区；和具有所述第二导电类型并设置在所述第二阱区上的第二高浓度杂质区。