[发明专利]g‑C3N4/高岭石复合光催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201610436177.5 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106111174A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 孙志明;李春全;姚光远 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学（北京） |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种g‑C3N4/高岭石光催化剂及其制备方法，属于非金属矿物材料深加工与环境工程领域。利用高岭石的层状结构与吸附特性，通过化学浸渍以及控制煅烧工艺，实现g‑C3N4与高岭石的片片组装，制备出一种高活性的高岭石基复合光催化材料。该方法实现了高岭石与g‑C3N4的复合，有效抑制了g‑C3N4的团聚及光生载流子复合，同时利用高岭石的载体效应提高了材料对污染物吸附捕捉性能与催化剂的分散性。这种复合型光催化材料在可见光下具有优良的光催化活性，生产成本低，使用过程对环境友好，因而在有机废水深度处理领域具有很大的潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | c3n4 高岭石 复合 光催化剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
g‑C3N4/高岭石复合光催化剂，其特征在于：其中的g‑C3N4片均与高岭石片紧密结合，g‑C3N4纳米片与高岭石的质量比为20～60：100；所得的光催化剂禁带宽度为2.5～2.7eV；催化剂具有良好的重复使用性能。
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