[发明专利]一种量子点带间级联激光器有效
| 申请号： | 201610436288.6 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105977788B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;唐吉龙;方铉;刘雪;高娴;贾慧民;范杰;马晓辉;王晓华 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种锑化物量子点带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层。本申请公开的这种激光器采用量子点有源区作为该带间级联激光器的有源区，利用量子点材料的特点，有效对载流子的限制和利用，使带间级联激光器具有更低的阈值电流密度及宽的增益谱特性，有效提高带间级联激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 点带间 级联 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种量子点带间级联激光器，该激光器采用分子束外延设备在GaSb衬底上依次外延生长下限制层、下波导层、级联区、上波导层、上限制层、InAs接触层，其特征在于，有源区采用量子点有源区，电子注入区、量子点有源区和电子势垒区构成所述级联区；量子点有源区所用材料为GaInSb合金量子点，量子点组分为Ga1‑xInxSb；所述量子点的直径范围为8nm，高度范围为2～3nm，密度范围为1010cm‑2；电子注入区材料为AlSb/InAs/AlSb/InAs/AlSb，电子势垒区材料为AlSb/GaSb/AlSb/GaSb/AlSb。
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