[发明专利]硅红外检光器的结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种硅红外检光器的结构及其制作方法，以带有重补偿的超重掺杂硅单晶材料为红外光电转换材料，包括单独采用带有重受主补偿的超重施主掺杂硅单晶材料或带有重施主补偿的超重受主掺杂硅单晶材料吸收红外光产生电子‑空穴对，或者同时采用带有重受主补偿的超重施主掺杂硅单晶材料和带有重施主补偿的超重受主掺杂硅单晶材料构成PN结来吸收红外光产生电子‑空穴。本发明在硅单晶材料中同时重掺入施主杂质和受主杂质，在禁带中同时出现施主杂质能带和受主杂质能带，同时出现连接导带的能带尾和连接价带的能带尾，杂质能级参与红外光子吸收，以及电子和空穴的跃迁，提高硅材料在近红外通信波段的光电转换效率。

主权项

一种硅红外检光器的结构，包括硅层和位于硅层上表面的钝化层，在硅层上表面形成脊形光波导，在钝化层中设置检光器的阴极和阳极；其特征是：在所述硅层中脊形光波导的两翼设置第一掺杂区域和第二掺杂区域，在脊形光波导设置带有重补偿的超重掺杂区域。