[发明专利]电极的制备方法有效
| 申请号： | 201610436577.6 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105931991B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周志超;夏慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层的远离所述衬底的表面上形成图案化的光阻，所述光阻具有相对设置的底面和顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的侧面，所述底面贴合所述缓冲层；通过干蚀刻，将所述缓冲层的未被所述光阻覆盖的部分去除，以形成容纳区；沉积导电膜层，所述导电膜层包括形成在所述顶面上的废料和填充于所述容纳区的电极；以及剥离所述废料和所述光阻。本发明所述电极的制备方法的良品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层的远离所述衬底的表面上形成图案化的光阻，所述光阻具有相对设置的底面和顶面以及连接在所述底面与所述顶面之间的侧面，所述底面贴合所述缓冲层；通过干蚀刻，将所述缓冲层的未被所述光阻覆盖的部分去除，以形成容纳区；沉积导电膜层，所述导电膜层包括形成在所述顶面上的废料和填充于所述容纳区的电极；以及剥离所述废料和所述光阻；其中，所述“通过干蚀刻，将所述缓冲层的未被所述光阻覆盖的部分去除，以形成容纳区”包括：通过蚀刻气体冲击所述缓冲层，将所述缓冲层的未被所述光阻覆盖的部分去除，以形成容纳区；同时，通过蚀刻气体冲击所述顶面，以使所述顶面凹凸不平；所述蚀刻气体包括四氟化碳气体、氧气以及氩气，或者所述蚀刻气体包括六氟化硫、氧气以及氩气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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