[发明专利]在高阻衬底上形成的半导体器件和射频模块有效
| 申请号： | 201610436597.3 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106257671B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 赵勇洙 | 申请（专利权）人： | DBHiTek株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/10 |
| 代理公司： | 31239 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括高阻衬底，在高阻衬底中形成的、具有第一导电类型的第一深阱区，在第一深阱区上形成的、具有第二导电类型的第二深阱区，在第二深阱区上形成的、具有第一导电类型的第一阱区，以及在第一阱区上形成的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 形成 半导体器件 射频 模块 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n高阻衬底；/n布置在所述高阻衬底内、具有第一导电类型的第一深阱区；/n布置在所述第一深阱区上、具有第二导电类型的第二深阱区；/n布置在所述第二深阱区上、具有所述第一导电类型的第一阱区；/n布置在所述第一阱区上的晶体管；以及/n布置在所述高阻衬底中以至少部分围绕所述晶体管的器件隔离区，/n其中所述器件隔离区包括深沟槽器件隔离区和布置在所述深沟槽器件隔离区上的浅沟槽器件隔离区，并且/n所述第一阱区布置在所述器件隔离区内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
