[发明专利]NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法有效
| 申请号： | 201610437062.8 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN107516660B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黄新运;肖磊;刘红霞;沈晔晖;沈磊;刘岐 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;吴敏 |
| 地址： | 200433 上海市杨浦区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法。所述NAND闪存存储单元包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的鳍部；所述鳍部包括第一PN叠层和第二PN叠层，所述第二PN叠层位于所述第一PN叠层上方；所述第一PN叠层包括第一源层和第一漏层，所述第一源层与所述第一漏层在所述鳍部高度方向上直接层叠；所述第二PN叠层包括第二源层和第二漏层，所述第二源层与所述第二漏层在所述鳍部高度方向上直接层叠。所述NAND闪存存储单元具有很好的工艺尺寸持续缩小能力，并且所述NAND闪存存储单元能够从器件结构上解决存储单元读取干扰的问题。同时，所述NAND闪存的形成方法简单，工艺成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存存储单元，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的鳍部；其特征在于：所述鳍部包括第一PN叠层和第二PN叠层，所述第二PN叠层位于所述第一PN叠层上方；所述第一PN叠层包括第一源层和第一漏层，所述第一源层与所述第一漏层在所述鳍部高度方向上直接层叠；所述第二PN叠层包括第二源层和第二漏层，所述第二源层与所述第二漏层在所述鳍部高度方向上直接层叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
