[发明专利]气体供给系统、气体供给控制方法和气体置换方法有效
申请号: | 201610437677.0 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN106257623B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 泽地淳;网仓纪彦;佐藤好保 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;朱弋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于提高工艺的生产量。一个实施例中的气体供给系统具有构成气体供给系统的多个构成部件和用于配置多个构成部件的基座(212)。在多个构成部件中,一部分构成部件配置于基座(212)的一个面(212a),另一部分构成部件配置于作为基座(212)的一个面(212a)的背面的另一个面(212b)。在一个实施例中,多个构成部件例如是流量控制器(FD)和二次侧阀(FV2),二次侧阀(FV2)配置于配置有流量控制器(FD)的基座(212)的面(212a)的背侧的面(212b)。 | ||
搜索关键词: | 气体 供给 系统 控制 方法 置换 | ||
【主权项】:
1.一种向处理装置供给气体的气体供给系统,其特征在于,包括:构成所述气体供给系统的多个构成部件;和用于配置所述多个构成部件的基座,所述多个构成部件包括:控制所述气体的流量的流量控制器;上游阀,其在所述气体流动的方向上,上游侧与所述气体的供给源连接,下游侧与所述流量控制器连接;和下游阀,其在所述气体流动的方向上,上游侧与所述流量控制器连接,下游侧与所述处理装置连接,所述气体供给系统还包括:第一配管,其连接所述上游阀和所述流量控制器,供所述气体流通;和第二配管,其连接所述流量控制器和所述下游阀,供所述气体流通,在所述多个构成部件中,一部分构成部件配置于所述基座的一个面,另一部分构成部件配置于作为所述基座的所述一个面的背面的另一个面,所述流量控制器配置于所述基座的一个面,所述上游阀和所述下游阀配置于所述基座的另一个面,所述第一配管和所述第二配管贯通所述基座且在所述基座的内部形成为直线状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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