[发明专利]去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法有效
| 申请号： | 201610437697.8 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105937052B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 何杰;肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 | 申请（专利权）人： | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 锗单晶片 后表面 酸化学 腐蚀 去除 甩干 配制 混合水溶液 过氧化氢 氢氧化钠 生产效率 强光灯 放入 清洗 节约 检验 | ||
【主权项】：
去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液，氢氧化钠浓度为18％，过氧化氢浓度为30％～32％；氢氧化钠、过氧化氢和水的体积比为V (NaOH):V(H2O2):V(H2O)=1:(2.5～4):5；配制好氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液冷却到10℃‑18℃待用；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液中进行处理，处理的时间为6s～30s；(3)将处理之后的锗单晶片用水清洗干净，然后将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。
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