[发明专利]纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610438607.7 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106082121A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李述体;王汝鹏;宋伟东;郭德霄;陈航;李凯 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | B82Y40/00 | 分类号： | B82Y40/00;H01L21/3065;H01L29/778;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线阵列制备方法、纳米线阵列集成器件及其制备方法，本发明的纳米线阵列的制备方法，包括：在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台；在刻蚀后的衬底上表面及方形凸台上表面蒸镀掩膜层；在方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽；在梯形槽侧壁上生长异质结纳米线；在相邻的异质结纳米线的间隙中填充绝缘介质。该制备方法制备的纳米线阵列和纳米线阵列集成器件可批量生长，且具有方向性，有序性；并且生长的微纳材料具有可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 方法 集成 器件 及其 | ||
【主权项】：
一种纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上刻蚀出呈矩阵排列的方形凸台；在刻蚀后的衬底上表面及所述方形凸台上表面蒸镀掩膜层；在所述方形凸台上刻蚀出等间距的梯形槽；在所述梯形槽侧壁上生长异质结纳米线；在相邻的所述异质结纳米线的间隙中填充绝缘介质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610438607.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种香脆黑鸡爪的制作方法
- 下一篇：一种小鹅瘟病毒疫苗
