[发明专利]U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和制备方法在审
| 申请号： | 201610439122.X | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106098791A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 | 申请（专利权）人： | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高;傅朝栋 |
| 地址： | 310000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和制备方法。制备方法包括如下步骤：1)在N‑型(110)晶面硅单晶片的正、反两表面分别同时扩散入P+型和N+型杂质，得到P+N‑N+型硅扩散晶圆片；2)在P+N‑N+型硅扩散晶圆片的正、反面镀上镍层；3)在P+N‑N+型硅扩散晶圆片的正、反面涂上抗腐蚀胶，N+面上开启井字形腐蚀槽窗口；4)用硅各向异性择优腐蚀液对硅扩散晶圆片的N+面井字形腐蚀槽窗口进行化学腐蚀，获得U型蚀刻直角台面P+N‑N+型硅芯；5)对U型蚀刻直角台面P+N‑N+型硅芯进行去胶、锯切、焊接、清洗、台面钝化、压模成型，封装成硅二极管。本发明制造工艺简化，低成本，易于规模生产，产品性价比较高，产生显著经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 直角 台面 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种U型蚀刻直角台面硅二极管硅芯，其特征在于由下到上分别为P+型杂质扩散层、原始硅单晶N‑型层和N+型杂质扩散层，硅芯侧面的台面呈直角，所述的直角台面为完整光滑的平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州赛晶电子有限公司，未经杭州赛晶电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610439122.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
