[发明专利]一种可用于二氧化硫检测的传感器芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610439559.3 申请日: 2016-06-17
公开(公告)号: CN106124456A 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 韦天新;王洋 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种可在常温条件下检测二氧化硫的传感器芯片及制备方法,属于表面等离子体共振传感器芯片设计制备技术领域。该传感器芯片结构包括:玻璃基片、金属膜、自组装膜、含胍基聚合物薄膜;本发明利用胍基化合物和丙烯酸类化合物合成了一种新的化合物单体。在镀金的玻璃基片表面进行自组装修饰后,通过热聚合的方式在表面等离子体共振传感器基片上制备了含胍基的聚合物薄膜。该传感器能够在常温条件下对二氧化硫气体进行检测,且检测响应速度快、灵敏度高;可以应用于SPR检测、电化学检测以及QCM检测。
搜索关键词: 一种 用于 二氧化硫 检测 传感器 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
一种可用于二氧化硫检测的传感器芯片,其特征在于:该芯片包括多层结构,包括玻璃基片、金属膜、自组装膜、含胍基聚合物薄膜,上述各层按照玻璃基片、金属膜、自组装膜、含胍基聚合物薄膜由下至上的顺序依次排列,所述含胍基聚合物中含有以下重复结构:―[R][X]+―,其中R含有―COO基团,X含有胍基基团RHN‑C(=NH)‑NH2,所述自组装膜的自组装液为巯基丙烯酸、硫醇中的一种。
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