[发明专利]具有高质量外延层的纳米线半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610440133.X | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106098776B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了具有高质量外延层的纳米线半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条纳米线，其中该纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少一个半导体层，分别绕各纳米线外周形成以至少部分环绕相应纳米线，且绕各纳米线形成的各半导体层彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 质量 外延 纳米 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条纳米线，其中该纳米线沿弯曲的纵向延伸方向延伸；至少一个半导体层，分别绕各弯曲的纳米线外周形成以至少部分环绕相应弯曲的纳米线，该至少一个半导体层的中心相对于所环绕的各弯曲纳米线的中心具有偏移，且绕各弯曲的纳米线形成的各半导体层彼此分离。
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