[发明专利]有机场效应晶体管及制备方法、电子电路在审
| 申请号： | 201610440163.0 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105977380A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙向南;祝向伟;郭立丹;孙素;从川波;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100080 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机场效应晶体管及制备方法、电子电路。所述有机场效应晶体管包括：栅极；位于所述栅极上的介电修饰层；位于所述介电修饰层上的有机半导体层，所述有机半导体层为有机小分子材料；位于所述有机半导体层上的源极和漏极。本发明还提供了用于制备上述有机场效应晶体管的制备方法，以及包括上述有机场效应晶体管的电子电路。本发明提供的有机场效应晶体管在多次屈挠后仍能保持较高的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 场效应 晶体管 制备 方法 电子电路 | ||
【主权项】：
一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括：栅极；位于所述栅极上且采用高分子聚合物材料形成的介电修饰层；位于所述介电修饰层上且采用有机小分子材料形成的有机半导体层；位于所述有机半导体层上的源极和漏极。
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