[发明专利]太赫兹EIK高频装置在审
| 申请号： | 201610440245.5 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106128918A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 史宗君;杨梓强;兰峰;唐效频 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01J25/10 | 分类号： | H01J25/10 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 太赫兹EIK高频装置，其特征在于，包括沿电子注作用区顺次设置的EIK输入腔、中间腔及输出腔基本结构由两排光栅对称排列构成，两光栅之间为电子注通道，光栅的每个间隙通过结构中心的亚波长孔耦合到一个共同的腔体中；所述EIK输入腔由输入波导与带有亚波长孔结构的双光栅构成，两个光栅的对称面与电子运动方向平行；所述中间腔由对称设置的带有亚波长孔结构的双光栅构成，两个光栅的对称面与电子运动方向平行；所述输出腔由两对称的输出波导与带有亚波长孔结构的双光栅构成，两个光栅的对称面与电子运动方向平行。采用该结构设计的输入、输出腔体，周期性亚波长耦合孔对信号起着相对隔离和耦合的纽带，能使信号的耦合效率高，带宽和增益适中，能够有效地对信号进行馈入与提取，结构简单、制作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 eik 高频 装置 | ||
【主权项】：
太赫兹EIK高频装置，其特征在于，包括沿电子注作用区顺次设置的EIK输入腔、中间腔及输出腔基本结构由两排光栅对称排列构成，两光栅之间为电子注通道，光栅的每个间隙通过结构中心的亚波长孔耦合到一个共同的腔体中；所述EIK输入腔由输入波导与带有亚波长孔结构的双光栅构成，用于使信号经输入波导进入共同腔体通过亚波长孔耦合进入电子注通道与电子注进行互作用，两个光栅的对称面与电子运动方向平行；所述中间腔由对称设置的带有亚波长孔结构的双光栅构成，两个光栅的对称面与电子运动方向平行；所述输出腔由两对称的输出波导与带有亚波长孔结构的双光栅构成，用于使信号进入EIK输入腔对电子注进行初步的调制，然后通过中间腔体的进一步作用，被调制的电子注到达输出腔进行能量的提取,输出信号由亚波长孔耦合到两对称的输出波导实现信号的输出，两个光栅的对称面与电子运动方向平行。
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