[发明专利]一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法在审
| 申请号： | 201610440556.1 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106409663A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 肖承全;李俊焘;代刚;向安;张林;徐星亮;周阳;杨英坤;张龙;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤先通过化学清洗、刻蚀及离子注入等工艺在碳化硅外延层上制备正面的台阶及结终端结构；将上述碳化硅晶片在湿氧气氛中进行热氧氧化形成牺牲氧化层，再在稀氢氟酸中进行浸泡去除牺牲氧化层；在台阶及结终端结构上利用原子层沉积法（ALD）生长Al2O3薄膜，再通过等离子体增强化学沉积法（PECVD）生长Si3N4薄膜；刻蚀碳化硅晶片背面的Al2O3层和Si3N4层，沉积金属制备背面欧姆接触；正面光刻开窗，沉积金属制备正面欧姆接触。本发明工艺简单、成本低廉，相比常规制备工艺，获得的碳化硅功率器件的阻断电压具有显著的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 阻断 电压 碳化硅 功率 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法，其特征在于包括以下步骤：首先，通过化学清洗、刻蚀及离子注入的工艺，在碳化硅晶片的外延层上制备正面的台阶及结终端结构；将所述碳化硅晶片在湿氧气氛中进行热氧氧化形成牺牲氧化层，再在稀氢氟酸中进行浸泡去除牺牲氧化层；在制备的台阶及结终端结构上利用原子层沉积法生长Al2O3薄膜层，再通过等离子体增强化学沉积法生长Si3N4薄膜层；刻蚀碳化硅晶片背面的Al2O3层和Si3N4层，沉积金属制备背面欧姆接触；在碳化硅晶片的正面光刻开窗，沉积金属制备正面欧姆接触；最后得到碳化硅功率器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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