[发明专利]一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法在审
| 申请号： | 201610440801.9 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN106058049A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 苗晓亮;胡延强;张陈明;邱婷;白帆;张树芳 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红;朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法，其步骤为：第一步，将表面清洗干净的底电极在旋转涂膜过程中滴加不良溶剂制备卤化铅薄膜；然后退火处理；第二步，将经退火处理的卤化铅薄膜浸泡于AX溶液中，经异丙醇冲洗，最后再进行退火处理，即得到所述钙钛矿薄膜，其中，X=Cl，Br，I，A=CH3NH3，Cs。本发明在制备卤化铅薄膜的过程中滴加甲苯，可以获得大孔径的卤化铅薄膜，使得能够与浸泡溶液更充分的反应和在晶粒相对尺寸较大的卤化铅的薄膜的基础上加上有着充分的结晶空间以获得大晶粒钙钛矿薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 钙钛矿 薄膜 忆阻器 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大晶粒钙钛矿薄膜忆阻器存储单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，将表面清洗干净的底电极在旋转涂膜过程中滴加不良溶剂制备卤化铅薄膜；然后退火处理；第二步，将经退火处理的卤化铅薄膜浸泡于AX溶液中，经异丙醇冲洗，最后再进行退火处理，即得到所述钙钛矿薄膜，其中，X=Cl，Br，I，A= CH3NH3，Cs。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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