[发明专利]一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片及制作方法在审
| 申请号： | 201610441090.7 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105870207A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高新技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片及制作方法，属于半导体器件制造领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤a1，一次氮化处理；步骤a2，刻蚀沟槽；步骤a3，二次氮化处理；步骤a4，一次去除氮化层；步骤a5，加深刻蚀沟槽；步骤a6，一次氧化处理；步骤a7，二次去除氮化层；步骤a8，二次氧化处理；步骤a9，一次多晶硅填充；步骤a10，去除外延层上表面的表面氧化层并构建肖特基界面。通过本厚底氧化层的沟槽式肖特基制作方法及肖特基芯片，同时兼顾了芯片的耐压能力以及正向压降，同时不会导致芯片整体体积增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 沟槽 式肖特基 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
一种厚底氧化层的沟槽式肖特基芯片，其特征在于：在外延层（5）的表面设置有多个沟槽，沟槽的内表面形成氧化层，在沟槽内填充有多晶硅（1），多晶硅（1）的表面刻蚀到与沟槽上边等高的位置，在多晶硅（1）以及外延层（5）的上部形成肖特基界面（3）；所述的沟槽内表面的氧化层包括位于沟槽侧壁上部的沟槽侧部氧化层（4）和位于沟槽侧部下部以及沟槽底部的沟槽底部氧化层（2），其中沟槽底部氧化层（2）的厚度不等于沟槽侧部氧化层（4）的厚度。
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