[发明专利]一种手机面板多层镀膜层及其制备方法有效
申请号: | 201610442789.5 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN106086813B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 裴艳丽;林家勇;刘佳慧;吴土祥 | 申请(专利权)人: | 中山大学;深圳业际光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C14/30;C23C14/08;C23C28/04 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及玻璃基板的多层镀膜的技术领域,更具体地,涉及一种手机面板多层镀膜层及其制备方法。本发明提供了一种在玻璃基板上制备高透、耐磨的多层膜技术,其中具体包括玻璃基板,氧化镁多晶种子层,氧化铝高硬耐磨镀膜层,氧化钛/氧化铝叠层增透层;本发明1)采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术可大面积,均匀成膜,2)通过多晶缓冲层设计,在较低成膜温度下外延生长微晶非晶混合结构的高硬氧化铝镀膜;3)通过氧化铝/氧化钛/氧化铝叠层增加透过率。 | ||
搜索关键词: | 一种 手机 面板 多层 镀膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种手机面板多层镀膜层,其特征在于,包括玻璃基板、形成于其上的氧化镁种子层、氧化铝层,其上的氧化钛/氧化铝多层增透层;所述的氧化镁种子层采用MOCVD方法制备,制备温度为300‑600度之间,厚度为2‑10nm,为多晶结构,反应物为高纯氧或者去离子水、二茂镁,氩气或者氮气为载气;所述的氧化铝层,采用MOCVD方法在种子层之上原位制备,制备温度为300‑600度,厚度为500nm‑1um,晶体结构为微晶、纳米晶、非晶混合结构。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的