[发明专利]采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法在审

专利信息
申请号: 201610442824.3 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN106069245A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 多立安;赵树兰;卢云峰 申请(专利权)人: 天津师范大学
主分类号: A01G7/00 分类号: A01G7/00;A01G1/00;C05G3/00
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人: 朱红星
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法,它是将组配的基质分别装入塑料盆中,高羊茅播种量为每盆5g,室内温度18~25℃,相对湿度为35%~65%,光照为透入室内的自然光6856LX‑27090LX,经常调换盆的位置以保证光照一致,栽种期间每天定量给水,以保证植物生长所需水分;共培养130d,第65d刈割一茬草,测量株高、生物量;第130d刈割,并测定相关指标。实验结果表明:采用碳纳米材料提高堆肥基质高羊茅一茬草根系的生长。
搜索关键词: 采用 纳米 材料 增进 堆肥 基质 高羊茅 根系 生长 方法
【主权项】:
采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法,其特征在于按如下的步骤进行:(1)研制材料供试垃圾堆肥取自天津市小淀生活垃圾堆肥处理厂,过2mm筛备用;园土:含水量19.4%,pH 7.27,电导率2250 µS/cm,有机质52.29 g/kg,全磷3.75 g/kg,全氮2.15 g/kg;草种选用北方常见禾本科植物高羊茅(Festuca arundinacea);石墨烯微片的微片大小:0.5‑20 μm;微片厚度:5‑25 nm;比表面积:40‑60 m2/g;密度:约2.25 g/cm3;电导率:8000‑10000 S/m;含碳量:>99.5%;氧化石墨烯的平均厚度:3.4‑7 nm;片层直径:10‑50 μm;层数:5‑10层;比表面积:100‑300 m2/g;纯度>90%;羧基化多壁碳纳米管的直径:20‑40 nm;长度:10‑30 μm;‑COOH含量:1.43%;纯度:>90 wt%;灰粉:<8 wt%;比表面积:>110 m2/g;导电率:>102 s/cm;羟基化多壁碳纳米管的直径:20‑40 nm;长度:10‑30 μm;‑OH含量:1.63%;纯度:>90 wt%;灰粉:<8 wt%;比表面积:>110 m2/g;导电率:>10s/cm;(2)草坪植物培养方法:1)将土壤和生活垃圾堆肥按质量比30:1配比均匀混合,即每盆添加1500g园土和50g生活垃圾堆肥,共设4 个处理,对照组( CK) :仅土壤和生活垃圾堆肥;其他3个实验组按照园土质量1%(w/w)添加碳纳米材料15g,实验组分别为石墨烯(G);氧化石墨烯(GO);碳纳米管(CNT);2)将上述组配基质分别装入高15 cm、直径20 cm的聚乙烯塑料盆中,高羊茅播种量为每盆5g,室内温度 18~25℃,相对湿度为35%~65%,光照为透入室内的自然光6856LX‑27090LX,经常调换盆的位置以保证光照一致,栽种期间每天定量给水,以保证植物生长所需水分;共培养130d,第65d刈割一茬草,测量株高、生物量;第130d刈割,并测定相关指标。
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