[发明专利]一种平面型多晶硅发射极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610443158.5 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105932054B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/772;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶;郭佩兰 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种平面型多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述P型浓基区为平面型，所述P型浓基区通过P型浓基区汇流条与基极金属层相连接，所述晶体管的管芯面积大于0.25mm2。本发明还提供了该平面型多晶硅发射极晶体管的制造方法。本发明提供的平面型多晶硅发射极晶体管比现有的槽型多晶硅发射极晶体管工艺更加简单，产品性能一致性好，抗冲击能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 多晶 发射极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面型多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度的N型发射区，该N型发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个N型发射区的下面有P型基区，P型基区的侧面连着掺杂浓度比P型基区高的P型浓基区，在P型基区的侧面还与P型浓基区正交的P型浓基区汇流条连接，硅衬底片的上方有基极金属层，硅衬底片的上层N型高电阻率层位于P型基区以下和P型浓基区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层N型低电阻率层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述P型浓基区为平面型；所述基极金属层与P型浓基区汇流条相连接；所述晶体管的管芯面积大于0.25mm2。
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