[发明专利]一种磁性隧道结接触电极及其形成方法有效
| 申请号： | 201610443364.6 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527993B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张云森;肖荣福;郭一民 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性隧道结接触电极及其形成方法，接触电极包括钌接触膜层和种子层的双层结构；形成步骤是：S1.提供包括底电极、第一电介质层、MTJ结构单元、钽顶电极和第二电介质层的衬底；步骤S2.衬底上形成接触电极膜层和硬掩模膜层；S3.图形化转移接触电极图案到硬掩模膜层；S4.刻蚀硬掩模膜层；S5.刻蚀接触电极膜层；S6.生长第三电介质层将接触电极填满；S7.将接触电极表面磨平直到硬掩模膜层全部磨掉；S8.在接触电极上形成顶电极连接孔刻蚀阻止层和第四电介质层；S9.图形化定义和刻蚀形成顶电极连接孔；S10.顶电极连接孔内形成扩散终止层；S11.填充顶电极连接孔；S12.将顶电极连接孔磨平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 接触 电极 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结接触电极，其特征在于，包括钌接触膜层和种子层的双层结构，所述种子层在所述钌接触膜层下面，所述种子层的厚度为0.5nm～3nm，所述钌接触膜层的厚度为5nm～30nm，所述种子层为Mg、Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、W、Cr或NiCr。
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