[发明专利]半导体装置和故障检测方法有效
| 申请号： | 201610444185.4 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106324465B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 尾藤胜利;饭岛大辅;竹原裕司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置和故障检测方法，所得到的余量小于通过基于功率周期测试的寿命预测而预测的故障时间段内将保持的余量，从而延长了更换等的维护周期。所述半导体装置包括安装在金属基底上的功率器件和用于驱动所述功率器件的驱动电路，所述方法基于金属基底和功率器件之间的热阻的增大，预先检测半导体装置的故障。紧接在驱动电路驱动功率器件之前和之后测量功率器件的状态。根据测量结果来计算驱动之前和之后的功率器件的温度差。基于温度差和驱动时间段中输入至功率器件的电量来检测金属基底和功率器件之间的热阻的增大，并且根据该增大，预先检测半导体装置的故障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 故障 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：功率器件，所述功率器件安装在金属基底上；驱动电路，所述驱动电路用于驱动所述功率器件；测量电路，所述测量电路测量紧接在所述驱动电路驱动所述功率器件的驱动时间段之前和之后的所述功率器件的状态；以及控制电路，所述控制电路根据所述测量电路的测量结果，基于驱动所述功率器件之前和之后的温度差以及在所述驱动时间段中至所述功率器件的输入功率，检测所述金属基底和所述功率器件之间的热阻的增大。
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