[发明专利]磁屏蔽室开关机构有效

专利信息
申请号: 201610444315.4 申请日: 2016-06-20
公开(公告)号: CN106028770B 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 潘东华;李立毅;孙芝茵 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 范光晔
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明涉及一种磁屏蔽室开关结构。主要解决了现有大屏蔽室的屏蔽门、屏蔽窗的屏蔽效果差的问题。所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成,固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式,固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接,并通过支撑结构3限位固定。具有结构简单、屏蔽效果好的特点。
搜索关键词: 屏蔽 开关 机构
【主权项】:
1.一种磁屏蔽室开关机构,与磁屏蔽室配合设置,包括固定屏蔽部分(1)、活动屏蔽部分(2)、及支撑结构(3),其特征在于:所述的固定屏蔽部分(1)与活动屏蔽部分(2)分别由至少两层的导磁屏蔽层构成,固定屏蔽部分(1)开口相对的两侧及活动屏蔽部分(2)两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式,固定屏蔽部分(1)开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分(2)两侧阶梯形式结构搭接,所述的固定屏蔽部分(1)与活动屏蔽部分(2)搭接在同一平面上,支撑结构(3)在对应固定屏蔽部分(1)与活动屏蔽部分(2)搭接的位置上设置有由导磁材料制成的搭接机构(4),进一步扩大屏蔽结构的搭接面积,取得更好导磁效果,实现更好的屏蔽效果,构成导磁屏蔽层与搭接机构的导磁材料为坡莫合金。
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