[发明专利]一种磁性隧道结双层侧墙及其形成方法有效
| 申请号： | 201610444408.7 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107527994B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性隧道结双层侧墙及其形成方法，第一层侧墙是氮化硅，第二层侧墙是氧化铝或者氮化铝，形成方法包括如下步骤：S1.提供包括底电极、MTJ结构单元和钽顶电极的衬底；S2.在衬底上依次沉积氮化硅膜层和氧化硅膜层；S3.沉积一层有机物膜层；S4.对有机物膜层、氧化硅膜层和氮化硅膜层进行两步刻蚀，以留下侧壁的氮化硅膜层；S5.沉积一层氧化铝或者氮化铝，形成双层侧墙膜层；S6.填充电介质在剩余的间隙里；S7.磨平电介质直至钽顶电极；S8.在磨平的电介质之上再沉积两层电介质，刻蚀形成顶电极连接孔；S9.在钽顶电极内形成扩散终止层，铜或者钨填充顶电极连接孔，磨平填充物以形成顶电极连接通道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 双层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结双层侧墙，其特征在于，包括第一层侧墙和第二层侧墙，第一层侧墙是氮化硅，第二层侧墙是氧化铝或者氮化铝。
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