[发明专利]一种减反射膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610444670.1 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106024979A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 苏天平 | 申请（专利权）人： | 苏天平 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减反射膜的制备方法，采用等离子体化学气相沉积法制备太阳能电池板的减反射膜，其中，减反射膜用SiO2胶体溶液、SiC胶体溶液混合制备，SiO2胶体溶液、SiC胶体溶液的体积比为2：1，SiO2胶体溶液中SiO2的粒径为8nm~10nm，SiC胶体溶液中SiC的粒径为5nm~8nm，减反射膜呈非晶结构，减反射膜的折射率为2.23~2.25。本发明制备效果好、节能高效、质量可靠、不损伤硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减反射膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种减反射膜的制备方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积法制备太阳能电池板的减反射膜，所述减反射膜用SiO2胶体溶液、SiC胶体溶液混合制备，所述SiO2胶体溶液、SiC胶体溶液的体积比为2：1，所述SiO2胶体溶液中SiO2的粒径为8nm~10nm，所述SiC胶体溶液中SiC的粒径为5nm~8nm，所述减反射膜呈非晶结构，所述减反射膜的折射率为2.23~2.25。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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