[发明专利]一种簇状氢氧化钴纳米片及其制备方法

摘要

本发明提供一种簇状氢氧化钴纳米片及其制备方法，涉及到一维纳米线制备技术结合后续的湿化学修饰技术，属于采用氧化铝模板限域电化学合成结合后续湿化学修饰技术。借助多孔阳极氧化铝模板，采用电化学沉积方法得到钴纳米线，结合后续的湿化学优化修饰技术在去除氧化铝模板的同时，钴纳米线与氢氧化钠反应，最终形成“簇状”氢氧化钴纳米片。本发明的优势是，与水热法和溶剂法等制备技术不同，该合成工艺操作简单、产量大、成本低、无需高温、无有机溶剂并且节能环保；所制备的氢氧化钴纳米片在未来高性能传感器、汽车尾气催化、超级电容器和燃料电池等领域有潜在的应用前景。

主权项

一种簇状氢氧化钴纳米片，其特征是：在氧化铝模板任意一侧溅射的一层厚200nm的金膜，然后在金膜上电沉积钴纳米线，最后在氢氧化钠作用下形成厚度为20～50nm的不均匀氢氧化钴纳米片，纳米片以纳米线为主干，斜插在纳米线表面上，并包围纳米线紧密排列，所述的氧化铝模板具有纳米通道，所述的氢氧化钴纳米片为簇状结构；其晶体结构特征为：六方晶体结构的β相Co(OH)2，生长沿[101]轴有优先的取向。