[发明专利]一种快速响应AHB访问的容错型SDRAM控制方法在审

专利信息
申请号: 201610445855.4 申请日: 2016-06-20
公开(公告)号: CN106095611A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 娄冕;裴茹霞;张洵颖;张娟;张丽娜;崔媛媛 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G06F13/16
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种快速响应AHB访问的容错型SDRAM控制方法,AHB总线接口负责锁存总线信息并发出锁存后的写数据,如果当前是全字写操作,则数据发往多路复选器MUX1,如果是非全字访问,则送入“读‑修改‑写”单元RMW,MUX1判断当前是否为全字写,若是则将写数据1直接送入移位寄存器链,否则将经过RMW处理后的写数据2送入移位寄存器链;MUX1输出写数据3送入写请求移位寄存器链WR‑SRC数据部分,同时送入编码器中生成写数据4并送入写请求移位寄存器链WR‑SRC校验元部分;写请求移位寄存器链WR‑SRC数据部分暂存AHB总线写访问请求,提前应答AHB总线以快速释放,该方法兼顾高性能与高可靠性。
搜索关键词: 一种 快速 响应 ahb 访问 容错 sdram 控制 方法
【主权项】:
一种快速响应AHB访问的容错型SDRAM控制方法,其特征在于,包括以下步骤:1)当AHB总线发起一次写访问,AHB总线接口负责锁存总线信息并发出锁存后的写数据,记为写数据1,如果当前是全字写操作,则写数据1发往多路复选器MUX1,如果是非全字访问,则送入“读‑修改‑写”单元RMW;2)多路复选器MUX1单元判断当前是否为全字写,如果是则将写数据1直接送入移位寄存器链,否则将经过RMW处理后的写数据2送入移位寄存器链;3)对于多路复选器MUX1输出的写数据3,一方面送入写请求移位寄存器链WR‑SRC的数据部分,同时送入编码器中,采用对应的编码算法生成写数据4校验元,并将写数据4送入写请求移位寄存器链WR‑SRC的校验元部分;4)写请求移位寄存器链WR‑SRC的数据部分暂存AHB总线的写访问请求,在SDRAM真正完成写入前提前应答AHB总线,通过快速释放AHB总线加快处理器的后继访问。
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