[发明专利]一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610446071.3 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105957962B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 马飞;刘伟霞;高磊雯 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜及其制备方法，用于提高RRAM的性能。它是结合原子层沉积和磁控溅射技术来实现介质层结构厚度的精确控制及电极的制备，形成TiOx/Al2O3/TiOx多层结构，超薄Al2O3介质层的插入可显著抑制TiOx的晶化，增大器件的电阻，减小漏电电流，提高开关比。本发明的技术思路简单清晰，阻变性能优良。本发明公开了采用原子层沉积法制备叠层式阻变存储材料，增强阻变性能的技术思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tio sub al 三明治 叠层阻变 随机 存储器 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层阻变随机存储器薄膜，其特征在于，包括TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层结构的薄膜以及利用磁控溅射法在TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层结构薄膜上沉积Ag上电极；其中，TiOx/Al2O3/TiOx三明治叠层结构的每层厚度关系为：TiOx层:Al2O3层:TiOx层＝13:(4～10):13。
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