[发明专利]用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂及其制作方法和单晶硅制绒后不良片的处理方法在审
| 申请号： | 201610446469.7 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107523880A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 程寒松;李然;闫缓 | 申请（专利权）人： | 杭州聚力氢能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 浙江杭知桥律师事务所33256 | 代理人： | 王梨华,陈丽霞 |
| 地址： | 311305 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及制绒剂，公开了用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，包括氢氧化钠或氢氧化钾和制绒添加剂，氢氧化钠或氢氧化钾的质量百分含量为0.5％～5％，制绒添加剂包括体积百分含量为0.1％～8％的低挥发性有机化合物、体积百分含量为92％～99.9％的去离子水。还公开了其制作方法，以及单晶硅制绒后不良片的处理方法，将制绒后的不良片分别置于乙醇、丙酮和异丙醇超声清洗，将清洗后的不良片置于该种制绒剂，每寸硅片单片的质量损失为0.019g～0.044g，绒面反射率可控制在12％～14％。本发明对刻蚀后的不良片进行再制绒处理，处理后的硅片良品率在95％～97％，硅片表面与正常硅片无明显差别，该方法提高了硅片的利用率，大大节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 单晶硅 制绒后 不良 处理 制绒剂 及其 制作方法 方法 | ||
【主权项】：
用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：包括氢氧化钠或氢氧化钾和制绒添加剂，氢氧化钠或氢氧化钾的质量百分含量为0.5％～5％，制绒添加剂包括体积百分含量为0.1％～8％的低挥发性有机化合物、体积百分含量为92％～99.9％的去离子水。
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