[发明专利]自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610446548.8 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107706095B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 黄永彬;杨海玩;周乾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/8234;H01L21/8239;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法采用新的自对准双重构图方法制作字线，增加了选择栅的刻蚀窗口，避免了由于刻蚀负载效应导致的刻蚀凹痕。该半导体器件和电子装置由于上述制作方法使得性能和良率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 构图 方法 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种自对准双重构图方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲层，并图形化所述牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成硬掩膜材料层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述硬掩膜材料层构成的间隙壁；去除所述牺牲层，其中，所述图形化的牺牲层包括具有第一间距的图案和具有第二间距的图案，所述第二间距小于所述第一间距，所述第二间距小于所述间隙壁宽度的二倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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