[发明专利]一种带隙基准电路

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域，涉及一种带隙基准电路。本发明中运算放大器的输入对管采用三极管，将输入对管的失调电压设计成PTAT电压，通过电压‑电流变换器，将PTAT失调电压转换成PTAT电流。由失调电压VOS产生的PTAT电流流过二极管连接的三极管和串联电阻，通过设计串联电阻的阻值使得输出电压为一个与温度无关的基准电压。本发明的有益效果为，利用运算放大器输入对管的失调电压产生PTAT电流，实现三极管复用的带隙基准源架构，降低了基准源的功耗。

主权项

一种带隙基准电路，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和电容；第三三极管Q3的集电极接电源，其基极接第二PMOS管MP2的漏极，第三三极管Q3的发射极通过第一电阻R1后接第一三极管Q1的集电极；第一三极管Q1发射极接地；第四三极管Q4的集电极接电源，其基极接第一PMOS管MP1的漏极，第四三极管Q4的发射极依次通过第二电阻R2和第三电阻R3后接第二三极管Q2的集电极和第一三极管Q1的基极，第二三极管Q2的基极与集电极互连，第二三极管Q2的发射极接地；第一PMOS管MP1的源极接电源，其栅极接偏置电压；第七三极管Q7的集电极接第一PMOS管MP1的漏极，第七三极管Q7的基极通过第四电阻R4后接第四三极管Q4的发射极，第七三极管Q7的发射极接第五三极管Q5的集电极；第二PMOS管MP2的源极接电源，其栅极接偏置电压，其漏极通过电容后接第二电阻R2与第三电阻R3的连接点；第六三极管Q6的集电极接第二PMOS管MP2的漏极，第六三极管Q6的基极接第二电阻R2与第三电阻R3的连接点，第六三极管Q6的发射极接第五三极管Q5的集电极；第五三极管Q5的基极通过第一电阻R1后接第三三极管Q3的发射极，第五三极管Q5的发射极通过第五电阻R5后接地；第四三极管Q4发射极与第二电阻R2、第四电阻R4的连接点为基准电路的输出端。