[发明专利]一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路有效
| 申请号： | 201610446825.5 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106130483B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吉新村;夏晓娟;郭宇锋;王子轩;丁敏;徐严 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12;H03L7/099 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压控振荡器 调谐 电路 中的 可变电容 | ||
【主权项】：
1.一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，其特征在于：该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。
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