[发明专利]用于制造超导集成电路的系统及方法有效
申请号: | 201610448381.9 | 申请日: | 2010-02-25 |
公开(公告)号: | CN105914219B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 埃里克·拉迪辛斯基;乔迪·罗斯;杰里米·P·希尔顿;尤金·丹特斯凯;比翁·伊皮·奥 | 申请(专利权)人: | D-波系统公司 |
主分类号: | H01L27/18 | 分类号: | H01L27/18;H01L39/22;H01L39/24;B82Y10/00;G06N99/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;刘瑞贤 |
地址: | 加拿大不列*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了用于制造超导集成电路的系统及方法。该集成电路,包括:一个基板;一个由该基板承载的第一金属层,其中该第一金属层包括至少一条在一个临界温度或以下超导的电流通路;一个由该金属层承载的、平面化的第一介电层;以及一个由该平面化的第一介电层承载的约瑟夫逊结,其中该约瑟夫逊结是由一个第一电极、一个第二电极、以及一个插入在该第一电极与该第二电极之间的电绝缘层组成,并且其中该第一电极以及第二电极各自由一种在一个临界温度或以下超导的材料形成。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 超导 集成电路 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造约瑟夫逊结的方法,该方法包括:沉积一个第一介电层;将该第一介电层的一个表面平面化;在该第一介电层的平面化的表面的至少一部分上沉积一个第一电极,该第一电极在一个临界温度或以下超导;在该第一电极的至少一部分上形成一个电绝缘层;在该电绝缘层的至少一部分上沉积一个第二电极,该第二电极在该临界温度或以下超导;以及在该第二电极的至少一部分上沉积一个额外的介电层;将该额外的介电层的一个表面平面化;在该额外的介电层中形成一个孔以便暴露该第二电极的至少一部分;并且用一种在该临界温度或以下超导的材料至少部分地填充该额外的介电层中的孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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