[发明专利]聚酰亚胺薄膜表面电荷特性分析方法有效
申请号: | 201610451528.X | 申请日: | 2016-06-20 |
公开(公告)号: | CN106018534B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 傅明利;侯帅;田野;卓然;惠宝军;杜伯学;李进;侯兆豪;韩涛 | 申请(专利权)人: | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心;天津大学 |
主分类号: | G01N27/60 | 分类号: | G01N27/60 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中;万志香 |
地址: | 510080 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种聚酰亚胺薄膜表面电荷特性分析方法,包括下列步骤:对聚酰亚胺薄膜样品进行电晕充电;迅速检测电晕充电后所述聚酰亚胺薄膜样品,检测所述聚酰亚胺薄膜样品的表面电位随时间的变化值并记录数据V(t),其中V表示表面电位,t表示时间;获取时间与V(t)对时间的导数的乘积与时间的关系,即tdV(t)/dt~logt;作出tdV(t)/dt~log对应的曲线,根据曲线状态评估聚酰亚胺薄膜表面电荷积累及消散能力的特性。本方法和装置不需要对聚酰亚胺薄膜进行任何破坏,能够实现无损检测,操作过程简单方便,能够直观、准确而有效地评估样品表面电荷积累及消散能力的情况。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 薄膜 表面 电荷 特性 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种聚酰亚胺薄膜表面电荷特性分析方法,其特征在于,包括下列步骤:对聚酰亚胺薄膜样品进行电晕充电;迅速检测电晕充电后所述聚酰亚胺薄膜样品,检测所述聚酰亚胺薄膜样品的表面电位随时间的变化值并记录数据V(t),其中V表示表面电位,t表示时间;获取时间与所述数据V(t)对时间的导数的乘积与时间的关系,即tdV(t)/dt~logt;绘制所述tdV(t)/dt~logt对应的曲线;分析所述聚酰亚胺薄膜样品的表面电荷特性,记录所述tdV(t)/dt~logt对应的曲线峰值所对应的横坐标数值,对比所述聚酰亚胺薄膜样品若干点位的横坐标数值即可评估所述聚酰亚胺薄膜样品表面电荷积累及消散能力的特性;所述评估所述聚酰亚胺薄膜样品表面电荷积累及消散能力的特性包括通过所述tdV(t)/dt~logt对应的曲线的峰值的横坐标大小反映所述聚酰亚胺薄膜样品的表面电荷消散速度的快慢,以及比较所述聚酰亚胺薄膜样品上若干点位的横坐标判断聚酰亚胺薄膜的老化程度。
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