[发明专利]具有双锥形发射极指的双极结型晶体管有效
| 申请号： | 201610451808.0 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106257629B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 丁汉屹;V·贾殷;A·J·约瑟夫;A·K·斯坦珀 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及具有双锥形发射极指的双极结型晶体管，其揭露双极结型晶体管的装置结构以及制造双极结型晶体管的装置结构的方法。形成由第一半导体材料组成的基极层。在该基极层上形成由第二半导体材料组成的发射极层。图案化该发射极层以形成发射极指，该发射极指具有长度以及沿该发射极指的该长度变化的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 锥形 发射极 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造双极结型晶体管的装置结构的方法，该方法包括：形成由第一半导体材料组成的基极层；在该基极层上形成由第二半导体材料组成的发射极层；以及图案化该发射极层以形成位于该基极层上的第一发射极指，其中，该第一发射极指具有长度、第一端部表面、沿该长度与该第一端部表面隔开的第二端部表面、自该第一端部表面延伸至该第二端部表面的第一侧表面、自该第一端部表面延伸至该第二端部表面的第二侧表面以及该第一侧表面和该第二侧表面之间的宽度，该宽度随着距该第一端部表面的距离增加而线性减小，使得该第一发射极指沿着该第一发射极指的该长度的第一部分以第一角度渐窄，以及该宽度随着距该第二端部表面的距离增加而线性减小，使得该第一发射极指沿着该第一发射极指的该长度的第二部分以第二角度渐窄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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