[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。该薄膜晶体管阵列基板包括：基板，以及形成于基板上的硅薄膜晶体管、半导体氧化物晶体管和电容。其中，硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管具有相同的顶栅结构，从而可以兼容硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管制程，减少光刻胶掩膜板的使用次数，进而减少薄膜晶体管阵列基板的生产成本。另外，电容和硅薄膜晶体管或半导体氧化物晶体管重叠设置，从而可以大大增加底发射的OLED的开口率。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板，以及形成于所述基板上的硅薄膜晶体管、半导体氧化物晶体管和电容；所述硅薄膜晶体管和所述半导体氧化物晶体管具有顶栅结构；所述电容和所述半导体氧化物晶体管重叠设置；所述薄膜晶体管阵列基板包括：间隔设置于所述基板上的多晶硅层和半导体氧化层；覆盖所述多晶硅层和半导体氧化层的栅极绝缘层；间隔设置于所述栅极绝缘层上的第一栅极、第一金属层、第二栅极，其中，所述第一栅极位于所述多晶硅层的上方，所述第二栅极位于所述半导体氧化层的上方；覆盖所述第一栅极、第一金属层和第二栅极的蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层包括层迭设置的第一绝缘层和第二绝缘层；设置于所述蚀刻阻挡层上的源漏金属层，所述源漏金属层包括间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和第一漏极分别与所述多晶硅层相接触，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述半导体氧化层相接触；其中，所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一栅极、所述蚀刻阻挡层、所述第一源极和所述第一漏极形成所述硅薄膜晶体管；所述半导体氧化层、所述栅极绝缘层、所述第二栅极、所述蚀刻阻挡层、所述第二源极和所述第二漏极形成所述半导体氧化物晶体管；所述薄膜晶体管阵列基板包括第三金属层，所述第三金属层设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，且位于所述第二栅极的上方；其中，所述第二栅极、所述第一绝缘层和所述第三金属层形成所述电容。