[发明专利]基于混合TFT结构的显示元件

摘要

本发明提供一种基于混合TFT结构的显示元件，通过对混合TFT结构的结构优化设计，将电容极板设于金属氧化物TFT的上方或下方，使金属氧化物TFT的栅极与电容极板间形成电容，实现减少制程道数，降低生产成本；通过分别利用硅基TFT开关速度快、及驱动电流大的优点和金属氧化物TFT均一性好、及漏电流小的优点，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于OLED显示装置时，能够提高开关TFT的开关速度，并提升OLED显示装置的均一性，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于LCD显示装置时，能提高LCD栅极驱动电路中TFT的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及外围驱动电路中TFT的漏电流。

主权项

1.一种基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，包括衬底基板(100)、覆盖于所述衬底基板(100)上的阻隔层(110)、设于所述阻隔层(110)上的硅层(210)与电容极板(220)、覆盖于所述阻隔层(110)、硅层(210)、及电容极板(220)上的栅极绝缘层(300)、设于所述栅极绝缘层(300)上对应于硅层(210)的第一栅极(410)、设于所述栅极绝缘层(300)上对应于所述电容极板(220)的第二栅极(420)、覆盖于所述栅极绝缘层(300)、第一栅极(410)、及第二栅极(420)上的第一层间介电层(500)、设于所述第一层间介电层(500)上对应于第一栅极(410)的第三栅极(430)、覆盖于所述第三栅极(430)、及第一层间介电层(500)上的第二层间介电层(600)、设于所述第二层间介电层(600)上对应于第二栅极(420)的金属氧化物层(700)、设于所述第二层间介电层(600)上且分别与所述硅层(210)两端相连接的第一源极(810)、及第一漏极(820)、设于所述金属氧化物层(700)两端的第二源极(830)、及第二漏极(840)、覆盖于所述第二层间介电层(600)、第一源极(810)、第一漏极(820)、第二源极(830)、第二漏极(840)、及金属氧化物层(700)上的钝化层(900)、及设于所述钝化层(900)上的第一像素电极(1000)；所述栅极绝缘层(300)、第一层间介电层(500)、及第二层间介电层(600)上设有对应于所述硅层(210)两端的上方的第一通孔(310)与第二通孔(320)，所述第一源极(810)、及第一漏极(820)分别通过第一通孔(310)、及第二通孔(320)与所述硅层(210)的两端相连接；所述第一层间介电层(500)、及第二层间介电层(600)上设有对应于所述第二栅极(420)靠近第一栅极(410)一端上方的第三通孔(510)，所述第一漏极(820)通过所述第三通孔(510)与所述第二栅极(420)相连；所述钝化层(900)上设有对应于所述第二漏极(840)上方的第四通孔(910)，所述第一像素电极(1000)通过第四通孔(910)与所述第二漏极(840)相连。