[发明专利]原位化学气相沉积法在钼基合金表面制备二硅化钼涂层的方法在审
| 申请号： | 201610452635.4 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107523801A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 范佳晨 | 申请（专利权）人： | 张家港市思杰五金工具有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人： | 陆华君 |
| 地址： | 215615 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种原位化学气相沉积法在钼基合金表面制备二硅化钼涂层的方法，包括步骤(1)、将硅粉、氟化钠和氧化铝混合，置于球磨机中混料20～24小时，获得粉末喂料；(2)、钼基合金表面处理，依次包括喷砂、超声波清洗、除油；(3)、将粉末喂料和钼基合金置于管式炉中，在900～1000℃预处理10～12小时，冷却至室温，然后超声波清洗并烘干，在钼基体表面制备得到二硅化钼层。本发明在钼基合金表面获得的二硅化钼层，具有良好的抗氧化性能，使用寿命长，可以延缓涂层与基体之间的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 化学 沉积 合金 表面 制备 二硅化钼 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种原位化学气相沉积法在钼基合金表面制备二硅化钼涂层的方法，其特征在于，包括步骤：(1)、将硅粉、氟化钠和氧化铝混合，置于球磨机中混料20～24小时，获得粉末喂料；(2)、钼基合金表面处理，依次包括喷砂、超声波清洗、除油；(3)、将粉末喂料和钼基合金置于管式炉中，在900～1000℃预处理10～12小时，冷却至室温，然后超声波清洗并烘干，在钼基体表面制备得到二硅化钼层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
