[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610452720.0 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527811B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 祁树坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述横向绝缘栅双极型晶体管包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区，N型缓冲区内的P阱，P阱内的N+区，位于N+区上方的被所述P阱部分包围的沟槽，沟槽内的多晶硅，沟槽两侧的P+结，以及P+结两侧的N+结。本发明在正向导通时，注入大量的空穴，形成显著的电导调制效应来降低开态电阻；另一方面，在器件关断时，N+可很快的吸收少子空穴，极大的降低了关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，其特征在于，所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区，所述N型缓冲区内的P阱，所述P阱内的N+区，位于所述N+区上方的被所述P阱部分包围的沟槽，所述沟槽内的多晶硅，所述沟槽两侧的P+结，以及所述P+结两侧的N+结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
