[发明专利]一种发光二极管的外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 201610452745.0 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106025032A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 肖云飞;张华 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、电流扩展层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，电流扩展层包括AlN层、InGaN层和GaN层。本发明通过AlN作为宽禁带半导体能够提高势垒，使电子减速，增加电子的横向扩展能力，并且InGaN层降低了势垒高度，起到蓄水池的作用，同时GaN层可以防止InGaN层中的In扩散而造成电子溢流，最终提高电流的扩展能力，改善局部电流过大的问题，有效减少电子溢流，提高LED的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述N型GaN层和所述浅阱层之间的电流扩展层，所述电流扩展层包括依次层叠在所述N型GaN层上的AlN层、InGaN层和GaN层。
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