[发明专利]一种消除磁场影响的控温型生物膜培养实验方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201610452888.1 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN106010967B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 陈磊;王磊;申屠华斌;柳景青;彭宏熙;张逸夫;周云峰;罗志逢 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C12N1/00 分类号: C12N1/00;C12M1/38;C12M1/36;C12M1/02
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 王兵;黄美娟
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种消除磁场影响的控温型生物膜培养实验方法及其装置,所述的方法包括以下步骤:在进水箱内装入液体,使得液体的液面达到预设位置;设好生物膜培养所需因素的参数;进水箱内的液体引入消磁后的反应罐内并加热;转动生物膜培养片,对生物膜培养片表面的微生物进行培养;装置包括储水单元、反应单元和控制单元,储水单元与反应单元管路连接,控制单元设置在储水单元与反应单元之间储水单元包括进水箱和用于注入液体的刻度管;反应单元包括反应罐、电动搅拌器、固定支架、磁屏蔽罩和至少一个生物膜培养片;控制单元包括带控制板的PLC主控箱、液位警报器、蠕动泵和加热器。本发明的有益效果是:能消除磁场、精准控制培养条件的消除磁场影响。
搜索关键词: 一种 消除 磁场 影响 控温型 生物膜 培养 实验 方法 及其 装置
【主权项】:
一种消除磁场影响的控温型生物膜培养实验方法,包括以下步骤:1)在进水箱内装入液体,并使得液体的液面达到预设的液面位置;2)设定好生物膜培养所需因素的参数,所述的参数包括预先计算好的反应罐内的进水流量与水力停留时间的数学关系式Q=1000V60th]]>式中Q为进水流量(mL/min),罐内工作体积V(L),th水力停留时间(h);生物膜培养片的速度和水流切应力之间的数学关系式τ=fρv22]]>式中τ为水流剪切力(N/m2),f范宁摩擦系数,v为生物膜培养片的速度v(m/s);ρ为反应罐内水密度(kg/m3)f=0.0791Re0.25]]>Re=vρRμ]]>式中Re为雷诺数,ρ水密度(kg/m3),R为水力半径(m),μ动力粘度(Pa·s);v=2πNr60]]>式中v为生物膜培养片的速度v(m/s);N为转速(rpm),r为生物膜培养片到转轴中心的距离(m);以及反应罐内的水力停留时间、水流切应力、水温和低液位的数值;3)设定完所需参数之后,将进水箱内的液体引入消磁后的反应罐内,待反应罐注满之后开始加热直至罐内液体达到设定温度;整个培养过程保持进水箱内液面恒定;整个过程中反应罐内始终充满液体,溢出的液体从反应罐的出水口排出;4)转动生物膜培养片,对生物膜培养片表面的微生物进行培养,得到需要的微生物;其中培养过程中的参数根据微生物种类进行调整。
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