[发明专利]一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201610453397.9 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN106083061B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 何金玲;林文松;刘浩 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/626;C04B35/64;C04B35/65;C04B41/91;B33Y10/00;B33Y70/00;B33Y80/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 王小荣 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明不需要模具，工艺简单，条件易于控制，可制造各种形状的碳化硅零件，在小批量制造、特种零件制造上有独特的优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 烧结 快速 成型 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光烧结快速成型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：(1)制备激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末；(2)采用基于激光选择性烧结的3D打印技术将激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末制成粗坯；(3)将粗坯埋在硅粉与氮化硼粉末组成的混合粉料中，在真空环境中进行反应烧结，得到烧结坯；(4)将烧结坯浸泡在碱性溶液中，以脱除烧结坯表面多余的金属硅，即得到所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷，该激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末的平均粒径为100‑500μm；步骤(1)所述的激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末的制备方法具体包括以下步骤：(1‑1)按照以下组分及重量份含量进行备料：碳化硅粉末75‑82份、酚醛树脂4‑9份、炭黑2‑4份、聚乙烯醇2‑5份及丙酮8‑11份；(1‑2)将步骤(1)中各组分加入至研磨机中进行研磨处理；(1‑3)依次进行喷雾制粒及干燥处理，即制得激光烧结快速成型碳化硅陶瓷粉末。
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